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南韓科學技術院(KAIST)專利管理子公司KAIST IP上月底向德州聯邦地方法院提起專利侵權訴訟,控告三星電子、高通和格羅方德三家半導體擅自盜用其所擁的鰭式場效電晶體(FinFET)技術,要求支付專利費,且下波不排除瞄準台積電和蘋果。

台積電發言體系昨(1)日表示,台積電尊重智慧財產權,也絕對捍衛智慧財產權,因對方尚未提告,且被控告的三家半導體公司已進入司法程序,台積電不便做任何評論。

鰭式場效電晶體是積體電路進入三度空間(3D)的重要技術突破,並讓摩爾定律得以延伸。主要半導體廠包括台積電、三星、英特爾、格羅方德及聯電等都跨入這項領域。

外電報導引述KAIST IP說法,三星、格羅方格、台積電都使用FinFET技術生產手機晶片,卻不支付使用費。

據了解,KAIST IP已和三星就支付使用費一事進行相當長時間協商,但三星都拒絕,最終協商破裂;高通和格羅方德也都不予理會。

台積電內部認為,三大半導體都拒絕支付專利費用給KAIST,顯見三家公司都具備自主研發的FinFET技術。

三星、格羅方格以14奈米FinFET製程技術供應晶片給高通,台積電則以16奈米FinFET製程幫蘋果生產iPhone用晶片。

半導體產業因三星和台積電進入14/16奈米FinFET製程,讓整個IC製程進入3D架構,其中台積電在16奈米以優越的良率和電晶體效能和低耗電,獨得蘋果A10處理器訂單,拿下壓倒性勝利。

不過,三星也搶下高通部分訂單,並決定在7奈米扳回一城,目前全面導入極紫外光(EUV)作為曝光顯影設備,要和台積電一較高下;隨著高通在7奈米重新擁抱台積電,且蘋果A11處理器仍由台積電以10奈米製程獨家生產,凸顯台積電在10/7奈米,已拉開和三星差距。

新聞辭典》鰭式場效電晶體(FinFET)

鰭式場效電晶體(FinFET),是新的多重閘極3D電晶體,電晶體的閘極環繞包裹著電晶體的高架通道,因為形狀與魚鰭相似才以此命名。鰭式場效電晶體與傳統的平面型電晶體相較,可提供更佳功耗和效能。

鰭式場效電晶體的架構中,閘門成類似魚鰭的3D架構,可更妥善控制電流,降低耗電。台積電切入16奈米FinFET;三星、格羅方德、聯電與英特爾等,則是切入14奈米FinFET製程。

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